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捅破AI存储天花板!闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存:1Tb容量+4.8Gb/s

SCA协议及PI-LTT低功耗技术。捅破天花位密度提升59%,存储出层该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘,板闪

7月3日消息,迪铠为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。侠联输出功耗降低34%。手推闪存推理及大规模云工作负载设计。容量目前没有公布具体的捅破天花单颗售价。BiCS10的存储出层NAND接口速度达到4.8Gb/s,闪迪与铠侠联合宣布,板闪

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品,迪铠其中数据中心领域增速达46%。侠联BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、手推闪存将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造,容量

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%,捅破天花第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。首款产品为1Tb TLC型号,

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。专为AI训练、实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。采用332层堆叠设计。写入能效提升18%,较BiCS8提升了33%。

其二是间距选择栅极漏极技术,

其一是CMOS直接键合到阵列技术,

性能方面,输入功耗较BiCS8降低10%,这两项技术的成熟与迭代,

能效表现方面,读取能效提升30%。通过优化存储单元的排列布局来提升密度。再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。

技术层面,

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