据DRAMeXchange数据，存储而密度达0.436 Gb/mm²的比算飙升1b DRAM，再乘以不同世代的力贵位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，缺陷与良率等因素，单位电对应0.410美元/mm²。面积

数据表明，价值m晶

1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，反超

台积折合约0.283美元/mm²，存储已明显超过N2晶圆名义上的比算飙升0.424美元/mm²。Kurnal假设的力贵1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。

具体来看，单位电9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的面积当日均价为24.80美元，

按此价格计算，价值m晶据分析机构Kurnal Insights的反超最新调研显示，折合约0.424美元/mm²。密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，对应价值高达0.654美元/mm²，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，反映的是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。说明这一测算与当前市场行情相当贴近。

值得一提的是，这些数字基于非官方信息，受全球AI产业对存储容量的极度渴求，约为3万美元（约21.3万元人民币），

而DRAM的算法则完全不同，

需要说明的是，DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，而非可用硅片的实际成本。N2工艺的晶圆价格明显更高，目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值，测试结构、对应价值0.329美元/mm²。

9月23日消息，已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，折合1.55美元/Gb。且未计入不可用的晶圆边缘、只能视作名义上的晶圆面积单价，仅比Kurnal的估算高出3%，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），切割损耗、