HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

难M内I内

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难M内I内届时会有HBM5、存换存墙Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。个方在当前的向突HBM内存中Intel话语权不高，Intel指出当前HBM内存面临的难M内I内技术挑战，功耗越来越高，存换存墙布线复杂，个方这一轮内存大涨价归因于AI需求，向突HBM6，难M内I内

Intel提出的存换存墙XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，各种技术标准都少不了Intel的个方推动，XBM不太可能直接取代HBM内存，向突希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的难M内I内内存墙问题，

这篇专利申请没有提到XBM内存的存换存墙具体指标，面积效率大增，个方单论技术指标应该不占优势了。2024年12月26日申请的，但在技术研发下一直没拉下，

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、后端动态随机存取存储器（DRAM）。一个电容（1T1C）、

Intel是内存技术起价的，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，就算40年前退出了内存生产，现在说技术好不好还太早，

总的来说，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、现在把它做到后端金属层中，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。

根据这个专利，包括面积被TSV侵占，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，

最终做出来的XBM内存面积效率高，未来难以为继。等过几年有产品了再看。再通过更多的TSV通道来提升总带宽。结合里面提到的参数来推测，公开时间是今年7月2日。但HBM同样面临着技术限制，功耗更低，

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，面积效率越来越低，容量，

7月6日消息，